Número de Producto del Fabricante:
IPD20N03L G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD20N03L G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12805199
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ENVIAR
IPD20N03L G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
695 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD20N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP000017603
IPD20N03L G-DG
IPD20N03LG
IPD20N03LGXT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RFD12N06RLESM9A
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2069
NÚMERO DE PIEZA
RFD12N06RLESM9A-DG
PRECIO UNITARIO
0.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STD17NF03LT4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
3239
NÚMERO DE PIEZA
STD17NF03LT4-DG
PRECIO UNITARIO
0.34
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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